美國國會最近大幅刪減對大陸的晶片設備禁運清單，原因是大陸晶片製造技術不斷突破美方的封鎖，其中包括記憶體製造的先進技術「晶片低溫蝕刻」（Cryogenic Etching）。
晶片低溫蝕刻是在低於攝氏零下20度的條件下進行晶片蝕刻，可以增加3D NAND的堆疊層數（由200層增至300層、400層以上），是目前最先進的記憶體製造技術。全球晶片低溫蝕刻製造設備的領頭廠商包括美國加州的科林研發（Lam Research）和日本東京威力科創（Tokyo Electron）。
大陸目前已具備自製低溫蝕刻設備的能力，但先進製程與美日廠商仍有代差。大陸蝕刻設備廠主要廠商包括中微公司(AMEC)與北方華創(NAURA)，其中，北方華創已在14奈米製程中成功安排其自產設備，並正在中芯國際的7奈米產線上進行測試。
為了突破美國及其盟國的晶片設備出口管制，北京已要求大陸晶片製造商在擴充產能時，自製設備的使用率必須達到50%以上；根據大陸官方規畫，2025年，大陸晶片設備自給率要達到24%，2028年要達到32%。
美國眾議員鮑加納（Michael Baumgartner）於4月初提出MATCH（硬體技術管制多邊協調法案），希望藉由對大陸的晶片關鍵設備及技術的禁運，維護美國在人工智慧（AI）領域的領先地位。
MATCH提出後，美國及海外廠商感到不安，該法案不僅迫使盟友與美國的管制措施保持一致，還增加了新的全國性的、廣泛的企業限制；製造商表示，新法案使得他們的出口減少；為此，提案議員刪除部分禁運清單，並計畫下周由眾議院外交委員會表決進行表決。
